Tema: Podjetja ASML, TSMC in imec s prebojnim 300-milimetrskim integracijskim procesom približujejo industrijsko zrele tranzistorje iz 2D-materialov
Nov pristop k integraciji 300 mm za naprave na osnovi 2D-materialov omogoča izdelavo n- in p FET-ov v večjem obsegu s 50 nm razmakom med kontaktnimi polikristalnimi strukturami The post Podjetja ASML, TSMC in imec s prebojnim 300-milimetrskim integracijskim procesom približujejo industrijsko zrele tranzistorje iz 2D-materialov first appeared on Svet elektronike .