Tema: Toshiba je predstavila 40V N-kanalne močnostne MOSFET-e za avtomobilsko industrijo
Toshiba Nahajajo sev novem ohišju, ki prispeva k visokemu odvajanju toplote in zmanjšanju velikosti avtomobilske opreme. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba“) je predstavila dva avtomobilska 40V N-kanalna močnostna MOSFET-a, “XPJR6604PB“ [1] in “XPJ1R004PB“ [2], ki uporabljata Toshibino novo ohišje S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) s čipi U-MOS procesa IX-H. Naročanje teh izdelkov je že možno. Varnostno kritične aplikacije, kot so sistemi avtonomne vožnje, zagotavljajo zanesljivost z redundantno zasnovo, zato vključujejo več naprav in zahtevajo več prostora za namestitev kot standardni sistemi. Zato je za nadaljnje zmanjševanje velikosti avtomobilske opreme treba uporabiti močnostne MOSFET tranzistorje, ki jih je mogoče uporabiti pri visokih tokovih. XPJR6604PB in XPJ1R004PB uporabljata Toshibino novo ohišje S-TOGL™ (7,0 mm × 8,44 mm[1]), ki ima strukturo brez stebričkov in združuje priključni del vira in zunanje vodnike. Struktura z več priključki za priključke vira (source) zmanjšuje upornost ohišja. Kombinacija S-TOGL™ ohišja in Toshibinega postopka U-MOS IX-H omogoča znatno zmanjšanje upornosti v primerjavi s Toshibinim ohišjem TO-220SM (W)[2], ki ima enake značilnosti toplotne upornosti, in sicer za 11 %. Novo ohišje prav tako zmanjšuje zahtevano površino za montažo za približno 55 % v primerjavi z ohišjem TO-220SM(W). Poleg tega ima novo ohišje 200 A tok ponora, ki […] The post Toshiba je predstavila 40V N-kanalne močnostne MOSFET-e za avtomobilsko industrijo first appeared on Svet elektronike .